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NESG7030M04分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NESG7030M04
厂商型号

NESG7030M04

参数属性

NESG7030M04 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

功能描述

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

封装外壳

SOT-343F

文件大小

154.71 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 17:10:00

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NESG7030M04规格书详情

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high gain amplification.

NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

Ga = 14 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

• PO (1 dB) = 4.5 dBm TYP. @ VCE = 2 V, IC (set) = 10 mA, f = 2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =16.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe: C HBT technology

• This product is improvement of ESD.

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04 PKG)

产品属性

  • 产品编号:

    NESG7030M04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4.3V

  • 频率 - 跃迁:

    5.8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz

  • 增益:

    14dB ~ 21dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 5mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    M04

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
SOT-343
45000
原装正品现货
询价
NICHIA/日亚
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
CEL
25+
SOT-343F
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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NICHIA
23+
1206
9868
专做原装正品,假一罚百!
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NICHIA
23+
SMD
27000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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NHIA
24+
NA/
5750
原装现货,当天可交货,原型号开票
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CEL
2022+
M04
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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RENESAS/瑞萨
SOT-343
22+
56000
全新原装进口,假一罚十
询价
NICHIA
SMD-2
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
NICHIA
10+
3014(0.52)
2500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价