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NESG7030M04	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-A	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-T2	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-T2-A	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-T2B	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-T2B-A	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NESG7030M04
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

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