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NESG7030M04-T2中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG7030M04-T2

功能描述

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

文件大小

154.71 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 23:01:00

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NESG7030M04-T2规格书详情

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high gain amplification.

NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

Ga = 14 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

• PO (1 dB) = 4.5 dBm TYP. @ VCE = 2 V, IC (set) = 10 mA, f = 2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =16.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe: C HBT technology

• This product is improvement of ESD.

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG7030M04-T2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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