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NESG7030M04-A分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NESG7030M04-A |
| 参数属性 | NESG7030M04-A 封装/外壳为SOT-343F；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04 |
| 功能描述 | NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor |
| 封装外壳 | SOT-343F |
| 文件大小 |
154.71 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-27 13:30:00 |
| 人工找货 | NESG7030M04-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NESG7030M04-A规格书详情
FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, high gain amplification.
NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz
Ga = 14 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz
• PO (1 dB) = 4.5 dBm TYP. @ VCE = 2 V, IC (set) = 10 mA, f = 2 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =16.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 5.8 GHz
• SiGe: C HBT technology
• This product is improvement of ESD.
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04 PKG)
产品属性
- 产品编号：
NESG7030M04-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.3V
- 频率 - 跃迁：
5.8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
- 增益：
14dB ~ 21dB
- 功率 - 最大值：
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NICHIA |
24+ |
3014(0.52) |
60000 |
询价 | |||
NICHIA |
23+ |
3014(0.52) |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NICHIA |
SMD-2 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
NICHIA |
23+ |
SMD |
27000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NICHIA |
23+ |
3014(0.52) |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NICHIA |
2022+ |
SMD |
870 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
NHIA |
24+ |
NA/ |
5750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
NICHICON |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
NICHIA |
12+ |
SMD |
870 |
询价 | |||
NICHIA/日亚 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
