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NESG7030M04-A

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NESG7030M04-A

Package:SOT-343F;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

CEL

California Eastern Labs

NESG7030M04

NPNSiliconGermaniumCarbonRFTransistor

FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NESG7030M04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4.3V

  • 频率 - 跃迁:

    5.8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz

  • 增益:

    14dB ~ 21dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 5mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    M04

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
2022+
M04
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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RENESAS丨全系列供应
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更多NESG7030M04-A供应商 更新时间2025-7-20 15:01:00