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NESG7030M04中文资料NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor数据手册Renesas规格书
| 厂商型号 |
NESG7030M04 |
| 参数属性 | NESG7030M04 封装/外壳为SOT-343F；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04 |
| 功能描述 | NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor |
| 封装外壳 | SOT-343F |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 14:15:00 |
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技术参数
- 产品编号：
NESG7030M04-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.3V
- 频率 - 跃迁：
5.8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
- 增益：
14dB ~ 21dB
- 功率 - 最大值：
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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