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NESG270034中文资料NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
NESG270034 |
| 参数属性 | NESG270034 封装/外壳为TO-243AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI |
| 功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 12:22:00 |
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NESG270034规格书详情
简介
NESG270034属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的NESG270034晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
NESG270034-T1-AZ
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
9.2V
- 功率 - 最大值：
1.9W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
750mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
3-PowerMiniMold
- 描述：
TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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