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NESG7030M04-T2-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NESG7030M04-T2-A
厂商型号

NESG7030M04-T2-A

功能描述

NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor

文件大小

154.71 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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NESG7030M04-T2-A规格书详情

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high gain amplification.

NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

Ga = 14 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.8 GHz

• PO (1 dB) = 4.5 dBm TYP. @ VCE = 2 V, IC (set) = 10 mA, f = 2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =16.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe: C HBT technology

• This product is improvement of ESD.

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG7030M04-T2-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NF .75dB Gain 14dB

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NHIA
24+
NA/
5750
原装现货,当天可交货,原型号开票
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NICHIA/日亚
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990000
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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RENESAS/瑞萨
SOT-343
22+
56000
全新原装进口,假一罚十
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NICHIA
2023+
3014(0.52)
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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