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NESG7030M04-T2-A	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Germanium Carbon RF Transistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG7030M04-T2	文件：154.71 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconGermaniumCarbonRFTransistor FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,highgainamplification. NF=0.75dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz Ga=14dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.8GHz •PO(1dB)=4.5dBmTYP.@VCE=2V,IC(set)=10mA,f=2GHz •Maximumstablepowergain:MSG	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
NESG7030M04-T2-A
功能描述：
射频硅锗晶体管 NF .75dB Gain 14dB
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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