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NESG3033M14-T3-A	文件：176.65 Kbytes Page：16 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain FEATURES •TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz •Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz •SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz •Thisproduct	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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