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NESG3031M05	文件：100.82 Kbytes Page：3 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR FEATURES • LOW NOISE FIGURE AND HIGH-GAIN NF= 0.95 dB TYP, Ga= 10 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.2 GHz NF= 1.1 dB TYP, Ga= 9.5 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.8 GHz • MAXIMUM STABLE POWER GAIN: MSG = 14.0 dB TYP @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz • SiGe HBT TECHNOLOGY: 文件：100.82 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG3031M05	文件：317.71 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., 文件：317.71 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M05	文件：334.1 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 文件：334.1 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
NESG3031M05	文件：300 bytes Page：1 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR	Renesas 瑞萨	Renesas
NESG3031M05	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	CEL	CEL
NESG3031M05-A	文件：317.71 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., 文件：317.71 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M05-T1	文件：317.71 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., 文件：317.71 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M05-T1	文件：100.82 Kbytes Page：3 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR FEATURES • LOW NOISE FIGURE AND HIGH-GAIN NF= 0.95 dB TYP, Ga= 10 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.2 GHz NF= 1.1 dB TYP, Ga= 9.5 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.8 GHz • MAXIMUM STABLE POWER GAIN: MSG = 14.0 dB TYP @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz • SiGe HBT TECHNOLOGY: 文件：100.82 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG3031M05-T1-A	文件：317.71 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., 文件：317.71 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M05-T1	文件：334.1 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 文件：334.1 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
NESG3031M05
功能描述：
射频硅锗晶体管 RO 551-NESG3031M05-A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NESG3031M05	RENESAS/瑞萨	25+	SOT-343	20300	RENESAS/瑞萨原装特价NESG3031M05即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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