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NESG3031M14	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,Ga=10.0dBTYP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3031M14	文件：99.46 Kbytes Page：3 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NESG3031M14	文件：551.51 Kbytes Page：9 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG3031M14-A	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,Ga=10.0dBTYP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3031M14-T3	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,Ga=10.0dBTYP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3031M14-T3-A	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 4-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M14,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,Ga=10.0dBTYP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NESG3031M14-T3-A	文件：551.51 Kbytes Page：9 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL

详细参数

型号：
NESG3031M14
制造商：
CEL
制造商全称：
CEL
功能描述：
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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