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NESG3031M14	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP 文件：317.19 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M14	文件：99.46 Kbytes Page：3 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR 文件：99.46 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG3031M14	文件：551.51 Kbytes Page：9 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：551.51 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
NESG3031M14	文件：300 bytes Page：1 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR	Renesas 瑞萨	Renesas
NESG3031M14	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL	CEL
NESG3031M14-A	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP 文件：317.19 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M14-T3	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP 文件：317.19 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M14-T3-A	文件：317.19 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP 文件：317.19 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG3031M14-A	文件：551.51 Kbytes Page：9 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：551.51 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
NESG3031M14-T3	文件：99.46 Kbytes Page：3 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR 文件：99.46 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC

详细参数

型号：
NESG3031M14
制造商：
CEL
制造商全称：
CEL
功能描述：
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NESG3031M14	RENESAS/瑞萨	23+	SOT-743	27000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	NESG3031M14-T3-A	RENESAS/瑞萨	24+		65200		询价
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更多NESG3031M14供应商更新时间2026-1-25 11:10:00

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