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NESG3031M05-T1-A

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)

文件:673.12 Kbytes 页数:9 Pages

CEL

NESG3031M05-EVNF16

包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板 描述:EVAL BOARD NESG3031M05 1.6GHZ

CEL

NESG3031M05-EVNF58

包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板 描述:EVAL BOARD NESG3031M05 5.8GHZ

CEL

NESG3031M05-EVNF58-A

包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板 描述:EVAL BOARD NESG3031M05

CEL

详细参数

  • 型号:

    NESG3031M05

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 RO 551-NESG3031M05-A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NESG3031M05供应商 更新时间2025-12-11 20:39:00