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NESG3031M05-T1-A	文件：317.71 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M05,2012PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3031M05-T1-A	文件：673.12 Kbytes Page：9 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG3031M05-T1	文件：317.71 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD(M05,2012PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.,Ga=16.0dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.4GHz NF=0.95dBTYP.,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG3031M05-T1	文件：334.1 Kbytes Page：9 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG3031M05-T1	文件：100.82 Kbytes Page：3 Pages	NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR FEATURES •LOWNOISEFIGUREANDHIGH-GAIN NF=0.95dBTYP,Ga=10dBTYP@VCE=2V,IC=6mA,f=5.2GHz NF=1.1dBTYP,Ga=9.5dBTYP@VCE=2V,IC=6mA,f=5.8GHz •MAXIMUMSTABLEPOWERGAIN: MSG=14.0dBTYP@VCE=3V,IC=20mA,f=5.8GHz •SiGeHBTTECHNOLOGY:	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
NESG3031M05-T1-A
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	NESG3031M05-T1-A	RENESAS/瑞萨	24+	SOT343	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市正纳电子有限公司	NESG3031M05-T1-A	Renesas(瑞萨)	23+	原厂封装	32078	10年以上分销商,原装进口件,服务型企业	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	NESG3031M05-T1-A	NECT1K原装		SOT-343	3000	原装长期供货!	询价
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