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NESG270034-T1	文件：320.27 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 文件：320.27 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034-T1	文件：349.47 Kbytes Page：11 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) 文件：349.47 Kbytes 页数：11 Pages	CEL	CEL
NESG270034-T1-AZ	文件：320.27 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 文件：320.27 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034-T1-AZ	文件：349.47 Kbytes Page：11 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) 文件：349.47 Kbytes 页数：11 Pages	CEL	CEL
NESG270034-T1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI	CEL	CEL

详细参数

型号：
NESG270034-T1
制造商：
CEL
制造商全称：
CEL
功能描述：
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION(2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD(34 PKG)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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