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NESG270034-T1-AZ	文件：320.27 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 文件：320.27 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG270034-T1-AZ	文件：349.47 Kbytes Page：11 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) 文件：349.47 Kbytes 页数：11 Pages	CEL	CEL
NESG270034-T1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI	CEL	CEL
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产品属性

产品编号：
NESG270034-T1-AZ
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
9.2V
功率 - 最大值：
1.9W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
750mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
3-PowerMiniMold
描述：
TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

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