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NESG220033-T1B-A	文件：95.56 Kbytes Page：8 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 文件：95.56 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG220033-T1B	文件：224.53 Kbytes Page：10 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 文件：224.53 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
NESG220033-T1B-A
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD(33 PKG)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NESG220033-T1B-A	RENESAS/瑞萨	23+	SC-59	27000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
万三科技(深圳)有限公司	NESG220033-T1B-A	Renesas(瑞萨)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
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深圳市金芯世纪电子有限公司	NESG220034-T1	NEC	22+	SOT-89	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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更多NESG220033-T1B-A供应商更新时间2025-11-28 17:19:00

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