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NESG220033-T1B	文件：95.56 Kbytes Page：8 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 文件：95.56 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG220033-T1B	文件：224.53 Kbytes Page：10 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 文件：224.53 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG220033-T1B-A	文件：95.56 Kbytes Page：8 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 文件：95.56 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG250134-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
NESG220033-T1B
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD(33 PKG)

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