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NESG220034-A	文件：97.46 Kbytes Page：9 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 22.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC 文件：97.46 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG220034-A	文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages	RF & Microwave device 文件：137.58 Kbytes 页数：2 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG220034	文件：226.87 Kbytes Page：11 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 22.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC 文件：226.87 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG220034	文件：97.46 Kbytes Page：9 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz • PO (1 dB) = 22.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC 文件：97.46 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC

详细参数

型号：
NESG220034-A
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD(34 PKG)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金芯世纪电子有限公司	NESG220034-T1	NEC	22+	SOT-89	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市晨豪科技有限公司	NESG220034-T1	NEC/RENESAS瑞萨	23+	SOT-89	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NESG240033	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-23	120000	只做原装可免费提供样品	询价
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更多NESG220034-A供应商更新时间2025-10-6 20:00:00

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