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NESG250134-T1-AZ	文件：342.14 Kbytes Page：16 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES •Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NESG250134-T1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：TRANS NPN 900MHZ SOT-89	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG250134-T1	文件：342.14 Kbytes Page：16 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES •Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多NESG250134-T1-AZ供应商更新时间2024-5-1 14:00:00