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NESG2101M16-T3	文件：83.74 Kbytes Page：2 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 文件：83.74 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG2101M16-T3	文件：352.04 Kbytes Page：15 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, highgain amplification PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 文件：352.04 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG2101M16-T3	文件：135.74 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) 文件：135.74 Kbytes 页数：13 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG2101M16-T3-A	文件：352.04 Kbytes Page：15 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, highgain amplification PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 文件：352.04 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NESG2101M16-T3-A	文件：135.74 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) 文件：135.74 Kbytes 页数：13 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NESG2101M16-T3-A	文件：227.53 Kbytes Page：3 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：227.53 Kbytes 页数：3 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
NESG2101M16-T3
制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述：
Trans GP BJT NPN 5V 0.1A 6-Pin LeadLess Mini-Mold T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	NESG2101M16-T3	NEC	24+	1208	5000	全现原装公司现货	询价
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更多NESG2101M16-T3供应商更新时间2025-10-4 10:20:00

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