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NESG2101M16-T3-A	文件：352.04 Kbytes Page：15 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(125mW) 6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,highgain amplification PO(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.6	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M16-T3-A	文件：227.53 Kbytes Page：3 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2101M16-T3-A	文件：135.74 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2101M16-T3	文件：352.04 Kbytes Page：15 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(125mW) 6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,highgain amplification PO(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.6	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M16-T3	文件：135.74 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(125mW)6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2101M16-T3	文件：83.74 Kbytes Page：2 Pages	NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(125mW)6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification PO(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.6	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
NESG2101M16-T3-A
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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