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NESG2101M16-T3中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG2101M16-T3

功能描述

NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR

文件大小

83.74 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 23:01:00

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NESG2101M16-T3规格书详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW) 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, IC (set) = 10 mA (RF OFF), f = 2 GHz

NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)

产品属性

  • 型号:

    NESG2101M16-T3

  • 制造商:

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 5V 0.1A 6-Pin LeadLess Mini-Mold T/R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
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9507
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NEC
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1208
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SOT-523
15000
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3 针 SuperMiniMold(M33)
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