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NESG2046M33-T3-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NESG2046M33-T3-A
厂商型号

NESG2046M33-T3-A

功能描述

NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION

文件大小

118.31 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-7 22:30:00

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NESG2046M33-T3-A规格书详情

FEATURES

• IDEAL FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION APPLICATIONS:

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

• HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY

FOR SIGE TRANSISTORS :

VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• 3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGE

产品属性

  • 型号:

    NESG2046M33-T3-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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