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NESG2101M05开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板规格书PDF中文资料

NESG2101M05
厂商型号

NESG2101M05

参数属性

NESG2101M05 包装为盒;类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板;产品描述:EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ

功能描述

NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR

文件大小

172.22 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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NESG2101M05规格书详情

DESCRIPTION

NECs NESG2101M05 is fabricated using NECs high voltage Silicon Germanium process (UHS2-HV), and is designed for a wide range of applications including low noise amplifiers, medium power amplifiers, and oscillators

NECslow profile, flat lead style M05 Package provides high frequency performance for compact wireless designs.

FEATURES

• HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SiGe TECHNOLOGY

VCEO = 5 V (Absolute Maximum)

• HIGH OUTPUT POWER:

P1dB = 21 dBm at 2 GHz

• LOW NOISE FIGURE:

NF = 0.9 dBm at 2 GHz

• HIGH MAXIMUM STABLE POWER GAIN:

MSG = 17 dB at 2 GHz

• LOW PROFILE M05 PACKAGE:

SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm

Flat lead style for better RF performance

产品属性

  • 产品编号:

    NESG2101M05-EVPW24

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    开发板,套件,编程器 > 射频评估和开发套件,开发板

  • 包装:

  • 类型:

    晶体管

  • 频率:

    2.4GHz

  • 配套使用/相关产品:

    NESG2101M05@2.4GHz

  • 所含物品:

  • 描述:

    EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ

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