NESG2101M05规格书应用电路原装现货瑞萨NEC-114ic电子网

首页 >NESG2101M05>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NESG2101M05	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05	文件：172.22 Kbytes Page：14 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR DESCRIPTION NECsNESG2101M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequencyp	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2101M05	文件：580.99 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2101M05-A	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05-T1	文件：172.22 Kbytes Page：14 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR DESCRIPTION NECsNESG2101M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequencyp	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2101M05-T1	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05-T1-A	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05-T1-A	文件：580.99 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2101M05-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-343F；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2101M05-EVPW24	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NESG2101M05
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	NESG2101M05		2015+		50	公司现货库存	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	NESG2101M05	NEC	2019+	SOT-343	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	NESG2101M05	NEC	24+	SOT-343	502911	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市金嘉锐电子有限公司	NESG2101M05	CEL	2025+	SOT-343	32560	原装优势绝对有货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	NESG2101M05	NEC	17+	SOT343	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	NESG2101M05	NEC	24+	SOT-343SOT-323-4	87200	新进库存/原装	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NESG2101M05	NEC	16+	SOT343	10000	进口原装现货/价格优势!	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	NESG2101M05	RENESAS	19+	SOT343	87069	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NESG2101M05	NEC	24+	SOT343	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	NESG2101M05	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价

更多NESG2101M05供应商更新时间2025-7-13 16:00:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号