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NESG2101M05	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05	文件：172.22 Kbytes Page：14 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR DESCRIPTION NECsNESG2101M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequencyp	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NESG2101M05	文件：580.99 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG2101M05-A	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05-T1	文件：172.22 Kbytes Page：14 Pages	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR DESCRIPTION NECsNESG2101M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequencyp	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NESG2101M05-T1	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05-T1-A	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05-T1-A	文件：580.99 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG2101M05-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG2101M05-EVPW24	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG2101M05-EVPW24-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NESG2101M05	CEL California Eastern Laboratories	CEL

详细参数

型号：
NESG2101M05
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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