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NESG2101M05-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NESG2101M05-A

参数属性

NESG2101M05-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

封装外壳

SOT-343F

文件大小

172.81 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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更新时间

2025-10-13 19:00:00

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NESG2101M05-A规格书详情

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)

Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)

FEATURES

• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

⎯ PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz

⎯ NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

产品属性

  • 产品编号:

    NESG2101M05-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5V

  • 频率 - 跃迁:

    17GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    11dB ~ 19dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 15mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    M05

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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