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NESG2101M05-A	文件：172.81 Kbytes Page：15 Pages	NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ⎯PO(1dB)=21dBmTYP.@V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2101M05-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：SOT-343F 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NESG2101M05	文件：172.22 Kbytes Page：14 Pages	NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR DESCRIPTION NECsNESG2101M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequencyp	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NESG2101M05	文件：580.99 Kbytes Page：15 Pages	NPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
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产品属性

产品编号：
NESG2101M05-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
17GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益：
11dB ~ 19dB
功率 - 最大值：
500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 15mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
M05
描述：
RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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