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NESG2101M05开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NESG2101M05 |
| 参数属性 | NESG2101M05 包装为盒；类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板；产品描述：EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ |
| 功能描述 | NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW |
| 文件大小 |
172.81 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 14:46:00 |
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NESG2101M05规格书详情
NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)
Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)
FEATURES
• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification
⎯ PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz
⎯ NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package
产品属性
- 产品编号：
NESG2101M05-EVPW24
- 制造商：
CEL
- 类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
- 包装：
盒
- 类型：
晶体管
- 频率：
2.4GHz
- 配套使用/相关产品：
NESG2101M05@2.4GHz
- 所含物品：
板
- 描述：
EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
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