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NESG2046M33规格书详情
NPN SILICON + SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)
IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PACKAGE)
FEATURES
• 2 different built-in transistors (NESG2046M33, 2SC5800)
Q1: High gain SiGe transistor
fT = 18 GHz TYP., S21e2 = 13 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC applications
fT = 6.5 GHz TYP., S21e2 = 5.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
• 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 package)
产品属性
- 型号：
NESG2046M33
- 制造商：
CEL
- 制造商全称：
CEL
- 功能描述：
NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2511 |
SOT-343 |
360000 |
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NEC |
23+ |
SOT343 |
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NEC |
24+ |
SOT343 |
18560 |
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NEC(日电电子) |
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Original |
50000 |
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NEC |
24+ |
SOT343 |
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NEC |
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SOT343 |
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NEC |
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SOT343 |
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NEC |
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SOT343 |
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NEC |
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SOT343 |
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RENESAS/瑞萨 |
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