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NESG2046M33-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NESG2046M33-A

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

文件大小

240.54 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 13:35:00

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NESG2046M33-A规格书详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33, 0804 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• 3-pin super lead-less minimold (M33, 0804 PKG) package

产品属性

  • 型号:

    NESG2046M33-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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