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NESG204619-T1-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NESG204619-T1-A
厂商型号

NESG204619-T1-A

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

文件大小

302.01 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-30 11:00:00

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NESG204619-T1-A规格书详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package

产品属性

  • 型号:

    NESG204619-T1-A

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
SOT343
50000
全新原装正品现货,支持订货
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CEL
23+
原厂原包
19960
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NEC
23+
SOT343
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23+
SOT343
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23+
SOT-343
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24+
原厂原装
5000
原装正品
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RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
89630
当天发货全新原装现货
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25+
3-SMD 扁平引线
9350
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22+
SOT343
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原装正品,支持实单
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20+
SOT-523
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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