NESG2101M05-A 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 CEL

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1+	面议

厂家型号：
NESG2101M05-A
产品分类：
芯片
生产厂商：
CEL
库存数量：
9350
产品封装：
SOT-343F
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-7-28 14:39:00

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原厂料号：NESG2101M05-A品牌：CEL

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NESG2101M05-A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商CEL生产封装SOT-343F的NESG2101M05-A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
NESG2101M05-A
规格书：
下载下载2
企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Technology Corp
中文名称：
瑞萨科技有限公司
内容页数：
15 页
文件大小：
172.81 kb
资料说明：
NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

产品属性

类型
描述
产品编号：
NESG2101M05-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
17GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益：
11dB ~ 19dB
功率 - 最大值：
500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 15mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
M05
描述：
RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

供应商

企业：
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
许小姐
手机：
13717125871
询价：
电话：
0755-83201583/83214703
传真：
0755-22669259
地址：
福田区华强北路上步工业区102栋620室

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