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NESG2030M04-T2-A 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 CEL

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1+	面议

厂家型号：
NESG2030M04-T2-A
产品分类：
芯片
生产厂商：
CEL
库存数量：
15000
产品封装：
2013PB
生产批号：
2406+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-5-17 16:47:00

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原厂料号：NESG2030M04-T2-A品牌：CEL

优势代理渠道,原装现货,可全系列订货

NESG2030M04-T2-A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商CEL生产封装2013PB/SOT-343F的NESG2030M04-T2-A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
NESG2030M04-T2-A
规格书：
下载下载2
企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Labs
内容页数：
10 页
文件大小：
466.69 kb
资料说明：
NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

产品属性

类型
描述
产品编号：
NESG2030M04-T2-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.3V
频率 - 跃迁：
60GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
增益：
16dB
功率 - 最大值：
80mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
M04
描述：
TRANS NPN 2GHZ SOT-343

供应商

企业：
深圳市佳杰伟业科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
张小姐/张先生
手机：
18165782726
询价：
电话：
0755-82731845/82571165
传真：
0755-82796321
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深圳市福田区华强北路2008号华联发综合楼818

NESG2030M04-T2-A 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 CEL

NESG2030M04-T2-A

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