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NESG2030M04-T2-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NESG2030M04-T2-A |
参数属性 | NESG2030M04-T2-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS NPN 2GHZ SOT-343 |
功能描述 | NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
封装外壳 | SOT-343F |
文件大小 |
466.69 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | CEL |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 12:01:00 |
人工找货 | NESG2030M04-T2-A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NESG2030M04-T2-A规格书详情
NESG2030M04-T2-A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NESG2030M04-T2-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
NESG2030M04-T2-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
2.3V
- 频率 - 跃迁:
60GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 最大值:
80mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 5mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-343F
- 供应商器件封装:
M04
- 描述:
TRANS NPN 2GHZ SOT-343
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SOT343 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT-343 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-343 |
27000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NEC |
1923+ |
SOT-343 |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
询价 | ||
NEC |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT343 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
23+24 |
SOT343 |
28950 |
专营原装正品SMD二三极管,电源IC |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | |||
NEC |
24+ |
SOT-343SOT-323-4 |
12200 |
新进库存/原装 |
询价 |