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IXTH36P10

Standard Power MOSFET

Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • Low R DS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance ( Applications • High si

文件:81.45 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH36P10

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:384.16 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH36P10

P通道MOSFET

• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXTK180N15P

TO-3PL

IXTK32P60P

TO-264

IXYS/LITTELFUSE

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

IXYS/LITTELFUSE

详细参数

  • 型号:

    IXTH36P10

  • 功能描述:

    MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
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IXYS
24+
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IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS/艾赛斯
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IXYS/LITTELFUSE
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IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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更多IXTH36P10供应商 更新时间2026-4-20 14:02:00