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IXTH86N20T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 200V 86A TO-247	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTH86N20T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 200V 86A TO247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP86N20T	文件：191.96 Kbytes Page：6 Pages	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：191.96 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP86N20T	文件：296.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤ 29mΩ@VGS=10V • Fully characterized avalanche voltage and current • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATION • DC/DC Converters • High Spe 文件：296.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ86N20T	文件：191.96 Kbytes Page：6 Pages	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：191.96 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXTH86N20T
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
Trench
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
86A（Tc）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-247（IXTH）
封装/外壳：
TO-247-3
描述：
MOSFET N-CH 200V 86A TO247

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