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IXTQ86N20T中文资料PDF规格书
IXTQ86N20T规格书详情
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Features
• International standard packages
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTQ86N20T
- 功能描述：
MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
23+ |
TO3P |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO3P3 SC653 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022 |
TO-3P |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
TO-3P |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-3P-3 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO3P3 SC653 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
SMD |
54000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-3P |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
