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IXTK120N25	文件：85.69 Kbytes Page：2 Pages	High Current MegaMOSFET HighCurrentMegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Internationalstandardpackage •Fastswitchingtimes Applications •Motorcontrols •DCchoppers •Switched-modepowersupplies Advantages •Easyto	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK120N25	文件：584.25 Kbytes Page：5 Pages	High Current MegaMOS FET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK120N25P	文件：161.98 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT Power MOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS) rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFH120N25T	文件：187.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK120N25	文件：98.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Applications •DC-DCcon	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK120N25	文件：328.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK120N25P	文件：328.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK120N25P	文件：151.37 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowPackageInductance Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •Switched-ModeandResonant-ModePowe	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFQ120N25	文件：316.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFT120N25T	文件：187.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFX120N25	文件：367.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX120N25	文件：98.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •Fastintrinsicrectifier Applications •DC-DCcon	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFX120N25P	文件：151.37 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicDiode •AvalancheRated •LowPackageInductance Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •Switched-ModeandResonant-ModePowe	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTN120N25	文件：584.25 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentMegaMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
RCJ120N25	文件：299 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
RCJ120N25	文件：726.63 Kbytes Page：14 Pages	Nch250V12APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
RCX120N25	文件：1.17793 Mbytes Page：7 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
RCX120N25	文件：295.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
RDN120N25	文件：89.51 Kbytes Page：5 Pages	Switching(250V,12A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectricity. Application Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
UPD120N25TA	文件：157.38 Kbytes Page：15 Pages	THREE-TERMINALLOW-DROPOUTPOSITIVE-VOLTAGEREGULATOR(OUTPUTCURRENT:0.3A) TheµPD120Nxxseriesprovideslow-voltageoutputregulatorswiththeoutputcurrentcapacitanceof0.3A.Theoutputvoltagevariesaccordingtotheproduct(1.5V,1.8V,2.5V,or3.3V).ThecircuitcurrentislowduetotheCMOSstructure,sothepowerconsumptionintheICscanbereduced.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
IXTK120N25
功能描述：
MOSFET 120 Amps 250V 0.020 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXTK120N25供应商更新时间2024-4-23 15:30:00

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