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IXTH90N15T	文件：383.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTH90N15T	文件：198.68 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
CEB90N15	文件：513.429 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEF90N15	文件：513.429 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP90N15	文件：513.429 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
FKBA90N15	文件：497.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch150VFastSwitchingMOSFETs GeneralDescription AdvancedTrenchMOSTechnology LowGateCharge LowRDS(ON) 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable Applications LoadSwitch LEDApplications NetworkingApplications QuickCharger	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司
FKP90N15	文件：499.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch150VFastSwitchingMOSFETs GeneralDescription ⚫AdvancedTrenchMOSTechnology ⚫LowGateCharge ⚫LowRDS(ON) ⚫100EASGuaranteed ⚫GreenDeviceAvailable Applications ⚫LoadSwitch ⚫LEDApplications ⚫NetworkingApplications ⚫QuickCharger	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司
FQA90N15	文件：749.16 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical220nC) •LowCrss(typical200pF) •Fastswitching •1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA90N15	文件：678.55 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical220nC) •LowCrss(typical200pF) •Fastswitching •1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA90N15	文件：1.0998 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQH90N15	文件：1.0998 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQH90N15	文件：678.55 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •90A,150V,RDS(on)=0.018Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical220nC) •LowCrss(typical200pF) •Fastswitching •1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQH90N15	文件：329.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.018Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA90N15T	文件：299.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA90N15T	文件：198.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK90N15	文件：88.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode HighCurrentMegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Internationalstandardpackage •Fastswitchingtimes Applications •Motorcontrols •DCchoppers •Switched-modepowersupplies Advantages •Easyto	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK90N15	文件：296.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage-:VDSS=150V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤16mΩ@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwitchingApplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTP90N15T	文件：295.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTP90N15T	文件：198.68 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchGatePowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTQ90N15T	文件：301.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
IXTH90N15T
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 90A TO247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXTH90N15T	IXYS	23+	TO-247(IXTH)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTH90N15T	IXYS/艾赛斯	17+	TO-247	31518	原装正品可含税交易	询价
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更多IXTH90N15T供应商更新时间2024-4-25 11:24:00

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