IXTH36P10中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXTH36P10规格书详情
Standard Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
Features
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• Low R DS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance (
Applications
• High side switching
• Push-pull amplifiers
• DC choppers
• Automatic test equipment
Advantages
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTH36P10
- 功能描述：
MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
8630 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
55300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
61000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247(IXTH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 |
