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IXTH68P20T

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-68@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Switchedmodepowersupplies,audioamplifier, DCmotorcontrol,andvariableswitchingpowerapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTH68P20T

P-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTT68P20T

P-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

详细参数

  • 型号:

    IXTH68P20T

  • 功能描述:

    MOSFET TrenchP Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTH68P20T供应商 更新时间2025-5-7 18:23:00