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IXTH75N15	文件：380.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH75N15	文件：589.36 Kbytes Page：5 Pages	High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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STB75N15	文件：237 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL150V-0.02Ω-75ATO-220/D²PAK/TO-247LOWGATECHARGESTripFET™MOSFET TYPICALRDS(on)=20mΩ GATECHARGEMINIMIZED VERYLOWINTRINSICCAPACITANCES VERYGOODMANUFACTURING REPEATIBILITY EXCELLENTFIGUREOFMERIT(RDS*Qg) 100AVALANCHETESTED DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronics uniqueSTripFETprocesshasspecificall	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP75N15	文件：237 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL150V-0.02Ω-75ATO-220/D²PAK/TO-247LOWGATECHARGESTripFET™MOSFET TYPICALRDS(on)=20mΩ GATECHARGEMINIMIZED VERYLOWINTRINSICCAPACITANCES VERYGOODMANUFACTURING REPEATIBILITY EXCELLENTFIGUREOFMERIT(RDS*Qg) 100AVALANCHETESTED DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronics uniqueSTripFETprocesshasspecificall	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW75N15	文件：237 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL150V-0.02Ω-75ATO-220/D²PAK/TO-247LOWGATECHARGESTripFET™MOSFET TYPICALRDS(on)=20mΩ GATECHARGEMINIMIZED VERYLOWINTRINSICCAPACITANCES VERYGOODMANUFACTURING REPEATIBILITY EXCELLENTFIGUREOFMERIT(RDS*Qg) 100AVALANCHETESTED DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronics uniqueSTripFETprocesshasspecificall	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
IXTH75N15
功能描述：
MOSFET 75 Amps 150V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXTH75N15供应商更新时间2025-7-17 18:18:00

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