IXTH36P10数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXTH36P10规格书详情
特性 Features
• 低RDS(on) HDMOS过程
• 坚固的多晶硅栅极单元结构
• 雪崩评级
• 较低的封装电感
• 国际标准包装
应用 Application
• 高压侧开关
• 推挽式放大器
• 直流斩波器
• 自动测试设备
技术参数
- 型号:
IXTH36P10
- 功能描述:
MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
55300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
8630 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
TO-247 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS/LITTELFUSE |
1917 |
TO-247 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 |