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IRG4IBC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT

Features ● UltraFast: Optimized for high operating up to 80 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode ● Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation ● IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-s

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IRG4IBC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC10UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4IBC10UDPBF

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC10UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    140µJ(开),120µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/87ns

  • 测试条件:

    480V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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