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IRG4IBC20FD	文件：223.59 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •VeryLow1.66Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20FD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC20FDPBF	文件：305.39 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •VeryLow1.66Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultrasoftrecoveryantiparallel	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20FDPBF	文件：301.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20FDPBF_15	文件：301.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20FDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4IBC20FD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，9A
开关能量：
250µJ（开），640µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
43ns/240ns
测试条件：
480V，9A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

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更多IRG4IBC20FD供应商更新时间2025-7-14 9:12:00

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