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IRG4PC30U	文件：145.77 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) UltraFast Speed IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • 文件：145.77 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30UD	文件：211 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) UltraFast CoPack IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult 文件：211 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30UD	文件：302.2 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage · Anti-Parallel Ultra Fast Diode · Avalanche Capability · International Standard Package APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Automotive Chargers · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries · Welding Machines 文件：302.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PC30UDPBF	文件：381.67 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra- 文件：381.67 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：273.62 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT UltraFast Speed IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera 文件：273.62 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30UDPBF	文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：390.82 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30UDPBF_15	文件：390.82 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：390.82 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30UPBF	文件：274.59 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：274.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC30U
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
开关能量：
160µJ（开），200µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/78ns
测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 23A 100W TO247AC

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