INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：274.59 Kbytes 页数：9 Pages

IRF

600V 超快 8-60 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装

Infineon

英飞凌

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC

INFINEON

英飞凌

600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

600V IGBT 与超快8-60 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 经过优化的 8-40 kHz 的硬开关高工作频率\n• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT，在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-247AC 封装\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的高效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管经过与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT;

Infineon

英飞凌

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC

INFINEON

英飞凌

Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC

INFINEON

英飞凌