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IRG4IBC20W	文件：154.11 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • 2.5kV, 60s insulation voltage • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction 文件：154.11 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20W	文件：215.24 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：215.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20W_04	文件：215.24 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：215.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20WPBF	文件：215.24 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：215.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20WPBF	文件：254.29 Kbytes Page：8 Pages	Designed expressly for Switch-Mode Power 文件：254.29 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20WPBF_15	文件：254.29 Kbytes Page：8 Pages	Designed expressly for Switch-Mode Power 文件：254.29 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4IBC20W	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220 FullPak package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4IBC20W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11.8A 34W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4IBC20WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 34W TO220FP	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4IBC20W
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，6.5A
开关能量：
60µJ（开），80µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/110ns
测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 11.8A 34W TO220FP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRG4IBC20W供应商更新时间2025-11-21 19:10:00

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