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IRG4IBC20W	文件：154.11 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •Industry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduction	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20W	文件：215.24 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC20W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 11.8A 34W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IRG4IBC20WPBF	文件：254.29 Kbytes Page：8 Pages	Designed expressly for Switch-Mode Power	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4IBC20WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 12A 34W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4IBC20W
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，6.5A
开关能量：
60µJ（开），80µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/110ns
测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
PG-TO220-FP
描述：
IGBT 600V 11.8A 34W TO220FP

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