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IRG4BC20UDSTRRP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies 8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonant mode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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英飞凌英飞凌科技公司

IRG4BC20UPBF

ULTRAFASTSPEEDIGBT

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IRG4BC20UPBF

UltraFastSpeedIGBT

Features •UltraFast:optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Generati

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产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20W

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,6.5A

  • 开关能量:

    60µJ(开),80µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/110ns

  • 测试条件:

    480V,6.5A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 60W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4BC20W供应商 更新时间2024-5-17 8:29:00